Effects of He ion irradiation on superconductivity of Bi-Sr-Ca-Cu-O films

Bi-Sr-Ca-Cu-O超電導薄膜の超電導特性に及ぼすヘリウムイオン照射の効果

not registered; Takamura, Saburo; Hoshiya, Taiji; not registered

Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜を400keVのHeイオンで室温照射すると超電導転移温度Tc(R=0)が92Kから30度低下(110 $^{19}$ /m $^{2}$ の照射量で)、常伝導抵抗R(T=130K)が4倍に増加(同上の照射量)する。一方、Tc(Onset)はこの照射量ではほとんど変化しない。85Kでの照射では、室温照射に比べて、Tc(R=0)の著しい低下とR(T=130K)の増加が観測された。照射後300Kまで昇温するとR(T=130K)の減少(回復)がみられるが、回復量は照射量の増加とともに減少する。はじき出し損傷のしきいエネルギーを25eVと仮定しTc(R=0)の減少率を求め、Y-系セラミック超伝導薄膜での照射(イオン、中性子、電子線)によるTc(R=0)と比較すると、本実験で用いたBi-系薄膜の減少率が大きく、照射損傷に対しY-系より感受性が高いことを確めた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Japanese Journal of Applied Physics
巻	:	28
号	:	6
ページ数	:	p.L964 - L966
発行年月	:	1989/06
発表会議名	:
開催年月	:
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キーワード	:	Bi-Sr-Ca-Cu-O; 薄膜; 超伝導特性; ヘリウムイオン; イオン照射; 電気抵抗; 転移温度; 照射損傷

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論文URL	:	https://doi.org/10.1143/JJAP.28.L964
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：87.78 分野：Physics, Applied
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登録番号 : A19890097
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 9352

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