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Recovery of carbon-implanted silicon and germanium

炭素イオンを注入したSi及びGeの回復

山口 貞衛*; 藤野 豐*; 楢本 洋; 小沢 国夫*

not registered; Fujino, Yutaka*; Naramoto, Hiroshi; Ozawa, Kunio*

500KeV C$$^{+}$$イオンを注入した$$<$$111$$>$$Si及びGe単結晶の照射欠陥の回復過程を、イオンビーム解析法によって詳細に調べた結果について述べる。生成した照射欠陥の回復挙動は、同じ結晶構造を持つSiとGe結晶でも定性的に異なる。すなわち、Siでは照射欠陥は注入炭素原子と相互作用して安定化するのに対して、Ge中の照射欠陥は容易に回復してしまう。

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