Electron spin resonance in electron-irradiated 3C-SiC

電子線照射3C-SiCの電子スピン共鳴

Ito, Hisayoshi; Hayakawa, Naohiro; Nashiyama, Isamu*; not registered

エピタキシャル成長3C-SiC(立方晶シリコンカーバイド)結晶における電子線照射誘起欠陥を電子スピン共鳴(ESR)法により調べた。この結果、電子線照射3C-SiCにおいて、g値として2.00290.0001なる値をとり、分離幅約1.5Gで等間隔に分離した等方的な5本線スペクトルを示す欠陥(ESRセンター)が生成されることが明らかになった。また、電子線照射3C-SiCの等時及び等温アニールの結果、このESRセンターは3種類のステージ(150 $^{circ}$ C、350 $^{circ}$ C、750 $^{circ}$ C)においてアニールされ、特に750 $^{circ}$ Cにおけるアニール過程は活性化エネルギー2.20.3eVの一次反応で表されることが解った。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Applied Physics
巻	:	66
号	:	9
ページ数	:	p.4529 - 4531
発行年月	:	1989/11
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	エピタキシャル成長; 3C-SiC; 電子線照射; 電子スピン共鳴; 欠陥; アニール過程

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1063/1.343920
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：97.34 分野：Physics, Applied
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登録番号 : A19890187
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 9599

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