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Electron irradiation effects on a Bi$$_{1.4}$$ Pb$$_{0.6}$$ Sr$$_{2}$$ Ca$$_{2}$$ Cu$$_{3}$$ O$$_{10}$$ Superconductor

超電導体Bi$$_{1.4}$$Pb$$_{0.6}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7}$$の電子線照射効果

白石 健介; 伊藤 洋; 加藤 隆彦*

Shiraishi, Kensuke; not registered; not registered

焼結したBi$$_{1.4}$$Pb$$_{0.6}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7}$$ペレットに室温で、1または3MeVの電子線を8$$times$$10$$^{22}$$m$$^{-2}$$まで連続的に照射し、温度の関数として電気抵抗を測定した。3MeVの電子線を照射した試料では、照射前に105.8Kであった臨界温度は電子線の照射量に比例して8K/10$$^{21}$$m$$^{-2}$$の割合で低下する。これに対して超電導転移温度附近の115Kで測定した電気抵抗率は14.7$$mu$$$$Omega$$・mから1.5$$mu$$$$Omega$$m/10$$^{19}$$m$$^{-2}$$の変化率で上昇する。これらの(臨界温度及び電気抵抗率)の変化率は、格子のはじき出し量を単位にとると、それぞれ16K/10$$^{-5}$$dpa及び3$$mu$$$$Omega$$・m/10$$^{-7}$$dpaで電子線のエネルギーに依存しない。さらに、電流密度を大きくして測定した超電導転移温度は、1MeV及び3MeVの電子線とも1$$times$$10$$^{19}$$m$$^{-2}$$程度照射するとかなり上昇する。このことはMeV電子線を1$$times$$10$$^{-7}$$dpaの程度照射することによってBi$$_{1.4}$$Pb$$_{0.6}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7}$$の臨界電流密度が向上することを示している。

no abstracts in English

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分野:Physics, Applied

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