Candidate for residual defect in silicon surface barrier detector

シリコン表面障壁型半導体検出器における残余損失の候補

シリコン表面障壁型半導体検出器における残余損失を理論的に研究した。電荷収集過程モデルの応用により、残余損失が再結合による損失ではなく、他に原因があることがわかった。残余損失は、誘電体の性質をもつプラズマ柱内部の電子および正孔の動きによって誘起される電荷量が不十分であることによって引き起こされる。電荷収集率を空乏層の厚さ、プラズマ柱の長さおよび検出器の抵抗値の関数として示している。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Nuclear Science and Technology
巻	:	28
号	:	2
ページ数	:	p.87 - 94
発行年月	:	1991/02
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Silicon Surface; Barrier Detector; Pulse Height Defect; Residual Defect; Plasma Column; Change Collection Process

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.3327/jnst.28.87
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : A19890481
抄録集掲載番号 : 190235
論文投稿番号 : 10215

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.