Incident angle dependence of residual defect in silicon surface barrier detector

シリコン表面障壁型半導体検出器における残余損失の入射角度依存性

Kanno, Ikuo; Ikezoe, Hiroshi; Otsuki, Tsutomu*; not registered; not registered; Kimura, Itsuro*

シリコン表面障壁型半導体検出器(SSB)の残余損失について、101.7MeVおよび133.9MeVの $^{58}$ Niイオン、129.8MeVの $^{127}$ Iイオンを用いて実験を行った。133.9MeVの $^{58}$ Niイオンについては、SSBへの入射角度を0、30、45、60度と変化させて、残余損失の入射角度依存性を研究した。使用したSSBの比抵抗は、362cm、1500cmおよび2100cmであった。実験結果は、誘電体効果モデルで解析された。( $^{127}$ Iおよび101.7MeVの $^{58}$ Niイオンについては、入射角度0度のみ測定した)解析の結果、角度を持って入射したイオンの場合、プラズマ柱の長さが射影された長さ、プラズマ柱内部の電子・正孔対密度が余弦の逆数倍された密度を見做すことにより、よく理解されることがわかった。

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発表言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Nuclear Science and Technology
巻	:	28
号	:	6
ページ数	:	p.582 - 584
発行年月	:	1991/06
発表会議名	:
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キーワード	:	Silicon Surface Barrier Detector; Pulse Height Defect; Residual Defect; Plasma Column; Depletion Layer; Dielectricity; Incident Angle Dependence

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論文URL	:	https://doi.org/10.3327/jnst.28.582
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登録番号 : A19900467
抄録集掲載番号 : 190580
論文投稿番号 : 10463

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