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In-situ observation of structural damage in SiC crystals induced by hydrogen ion irradiation and successive electron irradiation

水素イオン照射及び電子線連続照射によるSiC結晶内損傷のその場観察

北條 喜一; 古野 茂実; 出井 数彦*

Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi; not registered

室温で水素イオンをSiC結晶に4.8$$times$$10$$^{18}$$atoms/cm$$^{2}$$以上照射した結果、非晶質相中に水素バブルが多数発生することを初めて観察した。さらに、水素照射により形成された非晶質相に室温で100keVの電子線を1$$times$$10$$^{17}$$electrons/cm$$^{2}$$・s以上で照射すると照射領域にバブルの成長が観察された。このバブルは電子線の照射量とともに増加する。また、300$$^{circ}$$C、20分間アニーリングした試料ではバブルの発生・成長は観察できなかった。これらの結果、非晶質相中のdangling fondにトラップされた水素原子が電子線照射により移動し、バブルを形成したものと推論した。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Electron Microscopy

巻

 :

40

号

 :

3

ページ数

 :

p.157 - 161

発行年月

 :

1991/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

水素イオン照射; バブル; SiC結晶; 電子線照射; アニーリング

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

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広報プレスリリース

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