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Gamma irradiation effect on a Bi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$ superconductor

超電導体Bi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$に及ぼす$$gamma$$線照射効果

白石 健介; 弥野 光一*; 乙黒 靖男*

Shiraishi, Kensuke; not registered; not registered

焼結したBi$$_{1.5}$$Pb$$_{0.5}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$ペレットに$$^{60}$$Coからの$$gamma$$線を1.5MR/hの線量率で約50MRまで照射し、電気抵抗率の温度変化を測定した。照射前に103.4Kであった臨界温度は20.25MRまで照射すると104.1Kまで上昇し、その後照射を続けると2.0$$times$$10$$^{-2}$$K/MRの割合で低下する。これに対して、300Kの電気抵抗率は約2MRから20MRまでの照射領域では0.1$$mu$$$$Omega$$・m/MRの割合で増加し、約20MRから37MRの範囲では殆んど変化しない。臨界温度の低下が認められる高照射領域では電気抵抗率は減少する。これらのことは、$$gamma$$線照射によって格子原子の再配列が起こること、これによって臨界温度の低い(2212)相が電気抵抗率の大きい(2223)相に変換すること、照射によって界面にアモルファス膜が生じる一方で、界面の微細クラックが消滅すると考えることによって統一的に説明することができる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Japanese Journal of Applied Physics

巻

 :

30

号

 :

7B

ページ数

 :

p.L1260 - L1263

発行年月

 :

1991/07

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

超電導体; (Bi,Pb)$$_{2}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{10}$$; セラミック; $$gamma$$線照射; 電気抵抗率; 臨界温度; 転移温度; アモルファス膜

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1143/JJAP.30.L1260

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

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Access

 :

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InCites™

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パーセンタイル：65.26

分野：Physics, Applied

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