イオンビームを用いる放射線高度利用の研究計画から,2; 宇宙用半導体素子の耐放射線性研究

The Study of radiation effects on semiconductor devices for space applications

人工衛生等の宇宙で使用される半導体素子の耐放射線性の研究の概要について解説した。まず、地球周辺の宇宙の放射線環境について述べ、微細な半導体素子に重イオンが入射した時の現状について述べた。また、タンデム加速器のマイクロビームを使用する半導体素子のエラー発生のマッピングの研究についても説明した。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	放射線と産業
巻	:
号	:	52
ページ数	:	p.40 - 42
発行年月	:	1991/12
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キーワード	:	宇宙用半導体素子; イオン照射; マイクロビーム; 耐放射線性

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登録番号 : A19910385
抄録集掲載番号 : 47000459
論文投稿番号 : 21131

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