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Surface X-ray-absorption fine structures of SiO$$_{x}$$ (0$$<$$x$$<$$2) and SiN$$_{x}$$ (0$$<$$x$$<$$4/3) produced by low-energy ion implantation in Si(100)

低エネルギーイオン注入により生成したSiO$$_{x}$$(0$$<$$x$$<$$2)及びSiN$$_{x}$$(0$$<$$x$$<$$4/3)表面のX線吸収端微細構造

馬場 祐治  ; 山本 博之; 佐々木 貞吉

Baba, Yuji; Yamamoto, Hiroyuki; Sasaki, Teikichi

X線吸収端微細構造法(XANES法)により、非化学量論組成をもつSiO$$_{x}$$(0$$<$$x$$<$$2)およびSiN$$_{x}$$(0$$<$$x$$<$$4/3)の伝導帯を構成する非占有軌道の電子構造解析を行った。SiO$$_{x}$$ではSi 2p吸収端のXANESスペクトルはx≧0.2においてSiO$$_{2}$$に類似しており、O 1s吸収端のスペクトル構造はxの値に存在しない。このことからSiO$$_{x}$$層はシリコンに4個の酸素が配位したSiO$$_{2}$$層とSi層がアイランド構造をとり、その伝導帯は主としてSiO$$_{2}$$の軌道成分から成り立つことがわかった。一方、SiN$$_{x}$$ではSi 2p$$rightarrow$$3s(a$$_{1}$$)共鳴吸収ピークは、xの増加により、徐々に高エネルギー側にシフトするとともに、x$$>$$1.0においてN 1s吸収端領域にN 1sから原子状のN 2p軌道への遷移(ダングリングボードに相当)による鋭い共鳴吸収が認められた。これらの事実よりSiN$$_{x}$$ではシリコンに窒素原子がランダムに配位する構造をとることが明らかとなった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Physical Review B

巻

 :

48

号

 :

15

ページ数

 :

p.10972 - 10977

発行年月

 :

1993/10

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

X-ray Absorption Near Edge Structure; Ion Implantation; Silicon Oxide; Silicon Nitride; Synchrotron Radiation

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.10972

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

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Access

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- Accesses

InCites™

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パーセンタイル：77.22

分野：Materials Science, Multidisciplinary

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