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Microstructure of Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ and MgAl$$_{2}$$O$$_{4}$$ preimplanted with H, He, C and irradiated with Ar$$^{+}$$ ions

H,He,C予備注入及びAr$$^{+}$$イオン照射されたAl$$_{2}$$O$$_{3}$$とMgAl$$_{2}$$O$$_{4}$$のミクロ組織

山田 礼司; S.J.Zinkle*; G.P.Pells*

not registered; S.J.Zinkle*; G.P.Pells*

14MeV中性子照射による弾き出し損傷と核変換生成物(H,He,C)が多結晶Al$$_{2}$$O$$_{3}$$及びMgAl$$_{2}$$O$$_{4}$$ミクロ組織変化に与える効果を調べる目的で、H$$^{+}$$,He$$^{+}$$,C$$^{+}$$イオン予備照射と4MeVAr$$^{+}$$イオン照射によるシュミレーション実験を行った。その結果、Al$$_{2}$$O$$_{3}$$,MgAl$$_{2}$$O$$_{4}$$共にH,He,C予備照射は転位ループのサイズや密度に何んらの影響を与えず、Ar$$^{+}$$イオン照射効果のみで決まる。一方キャビティーに関しては、Al$$_{2}$$O$$_{3}$$の場合予備照射の有無に関わらず生成するが、MgAl$$_{2}$$O$$_{4}$$では予備照射が有る場合のみ生成した。これらの結果は、MgAl$$_{2}$$O$$_{4}$$の場合、核変換生成物がキャビティー生成に大きな役割をしていることを示唆する。Al$$_{2}$$O$$_{3}$$において、粒界クラッキングとキャビティーの規則配列を観察した。これらの発生原因としてキャビティースウェリングに伴う結晶粒界及び粒内での応力及び歪によって起こるとの見方を提案した。

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パーセンタイル:83.35

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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