川島 寿人; 永島 圭介; 玉井 広史 
; 三浦 幸俊; 荘司 昭朗; 藤田 隆明; 森 雅博; 櫻井 真治*; 上杉 善彦*; 高村 秀一*
Kawashima, Hisato; Nagashima, Keisuke; Tamai, Hiroshi; Miura, Yukitoshi; Shoji, Teruaki; Fujita, Takaaki; Mori, Masahiro; Sakurai, Shinji*; not registered; not registered
JFT-2Mトカマクにおいて外部ヘリカル磁場を加え逃走電子の径方向拡散を調べた。外部ヘリカル磁場を加えると硬X線強度及び端の電子温度が減少し、外部磁場によって作られたプラズマ端のストカスティク磁場構造中で逃走電子と熱の輸送が増大されることが示された。硬X線の時間変化から中心部及び端の逃走電子拡散係数を評価した。端のストカスティック磁場構造中の拡散係数は径方向磁場成分Br/Bt~2
10
においてDs=1m
/sとなり、中心部の拡散係数に比べ約10倍大きくなった。一方、この値は理論的に求められた値に対して、10
倍小さいものである。この大きな違いは、高速電子のドリフト面が磁気面に対し大きくズレることから定性的に説明される。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 70 |
号 |
: | 8 |
ページ数 |
: | p.868 - 876 |
発行年月 |
: | 1994/00 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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