High energy Ni ion implantation and thermal annealing for -SiC single crystal

高エネルギーNiイオンを注入した-SiC結晶の熱回復挙動

嶋谷成俊*; 川面澄*; 荒井重義*; 塩野豪司*; 堀野裕治*; 杢野由明*; 藤井兼栄*; 竹下英文; 山本春也; 青木康; 楢本洋

not registered; Kawatsura, Kiyoshi*; Arai, Shigeyoshi*; not registered; not registered; not registered; not registered; Takeshita, Hidefumi; Yamamoto, Shunya; Aoki, Yasushi; Naramoto, Hiroshi

高エネルギー $^{56}$ Ni $^{+}$ イオン(1MeV)を(0001)-SiC結晶に注入後、各熱処理温度での注入Ni原子の分布変化及び母体結晶格子の熱回復挙動を、 $^{4}$ HeによるRBS-チャネリング法によって調べた。その結果、非晶質化した注入層は、1500 $^{circ}$ Cから再結晶化が進行するとともに、注入元素のNiの分布がガウス型から、均一型へと変化する事を見い出した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	91
号	:
ページ数	:	p.529 - 533
発行年月	:	1994/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	-SiC; Implantation; Ion; Ni; Thermal Annealing

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0168-583X(94)96280-4
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：43.35 分野：Instruments & Instrumentation
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登録番号 : A19930523
抄録集掲載番号 : 220539
論文投稿番号 : 12509

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