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Kinetic energy released distributions of H$$^{+}$$ ions desorbed from H$$_{2}$$O/Si(100) adsorption system by O 1s excitation

O 1s内殻励起によりH$$_{2}$$O/Si(100)吸着系から脱離したH$$^{+}$$イオンの運動エネルギー分布

関口 哲弘  ; 池浦 広美*; 小尾 欣一*; 田中 健一郎*

Sekiguchi, Tetsuhiro; Ikeura, Hiromi*; Obi, Kinichi*; Tanaka, Kenichiro*

H$$_{2}$$O/Si(100)化学吸着系のOK吸収端励起による光刺激イオン脱離反応をパルス放射光を用いた飛行時間質量分析法により調べた。脱離メカニズムを調べるためH$$^{+}$$イオンの運動エネルギー分布の励起エネルギー依存性を測定した。運動エネルギー分布は励起エネルギーに大きく依存し、少なくとも3つ以上の成分をもつ。どの成分のスペクトルもSi L-shellイオン化、O 1s$$rightarrow$$$$sigma$$$$^{ast}$$(O-H)共鳴励起、O 1sイオン化、shake-offイオン化によりピークまたは、ステップを形成している。特に、最も高い運動エネルギーの成分には、内殻共鳴励起(+共鳴オージェ)の成分とshake-offイオン化の成分が含まれる。いずれも、O-H結合軸上に強い反発状態であるためイオン脱離効率が高いと考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Photon Factory Activity Report

巻

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号

 :

ページ数

 :

P. 128

発行年月

 :

1994/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

放射光; 光刺激脱離; 運動エネルギー; 水; シリコン; H$$_{2}$$O; Si

特許データ

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