Positron trapping by defects in vitreous silica at low temperature

低温でのシリカガラス中の欠陥による陽電子の捕獲

上殿 明良*; 河野 孝央*; 谷川 庄一郎*; 浦野 章*; 京藤 倫久*; 伊藤 久義

Uedono, Akira*; not registered; not registered; not registered; not registered; Ito, Hisayoshi

シリカガラスにおける陽電子の消滅挙動を20Kから室温の温度領域で調べた。測定温度領域においては、ほとんどすべての陽電子はオープンスペース型欠陥に捕獲され、ポジトロニウムを形成して消滅することが解った。オルソポジトロニウムの寿命については温度上昇と共に長くなり、20Kにおける寿命分布は室温と比較し狭くなる結果が得られた。これは、オープンスペース型欠陥の体積の熱膨張と体積分布のばらつきの増加に原因すると考えられる。また、170Kから200Kの温度範囲でオープンスペース型欠陥の構造変化が見い出され、この構造変化が起こる温度は電子線照射や水酸基の存在によって降下することが解った。これらの結果は、構造変化に関わる活性化エネルギーが欠陥の導入により低下することに起因すると結論される。

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