Monte Carlo calculations on the passage of electrons through thin films irradiated by 300keV electrons

モンテカルロ法による300keV電子の薄膜中における挙動の検討

not registered; not registered; not registered; not registered

単一散乱モデルを使用したモンテカルロ計算を行い、300keV電子加速器のTi窓、その下の空気層及び三酢酸セルロース(CTA)内の電子の振る舞いを求めた。Ti窓、空気層を通過してCTA表面に入射した300keV電子のエネルギースペクトル、角度分布及び各種基枚上に置いたCTA中の深度線量分布等を求めた。これらの計算結果のいくつかは実測値と比較し、両者が良く一致することを示した。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	IEICE Trans. Electron.
巻	:	E78-C
号	:	5
ページ数	:	p.557 - 563
発行年月	:	1995/05
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	モンテカルロ計算; 300keV電子; 三酢酸セルロース; 単一散乱モデル; エネルギースペクトル; 入射角度分布; 深度線量分布

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : A19950050
抄録集掲載番号 : 230642
論文投稿番号 : 13225

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.