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Ab initio potential energy surfaces for the two lowest $$^{1}$$A′ states of H$$_{3+}$$

非経験的分子軌道法による基底および第1電子励起($$^{1}$$A′)状態におけるH$$_{3+}$$のポテンシャル面の計算

市原 晃; 横山 啓一

Ichihara, Akira; Yokoyama, Keiichi

基底および第1電子励起($$^{1}$$A′)状態におけるH$$_{3+}$$の断熱ポテンシャルを、非経験的分子軌道論に基づき、full configuration interaction法を用いて計算した。水素原子の基底関数としては、ガウス型[8s6p2d1f]基底を用いた。H$$_{3+}$$の3次元ポテンシャルを得るために、680の異なる空間配置に対して計算を行っている。また、これらのポテンシャル間の非断熱的電子遷移の確率を、Landau-Zener-Stuckelberg近似により見積った。

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パーセンタイル:14.11

分野:Chemistry, Physical

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