Ab initio potential energy surfaces for the two lowest $^{1}$ A′ states of H $_{3+}$

非経験的分子軌道法による基底および第1電子励起( $^{1}$ A′)状態におけるH $_{3+}$ のポテンシャル面の計算

基底および第1電子励起( $^{1}$ A′)状態におけるH $_{3+}$ の断熱ポテンシャルを、非経験的分子軌道論に基づき、full configuration interaction法を用いて計算した。水素原子の基底関数としては、ガウス型[8s6p2d1f]基底を用いた。H $_{3+}$ の3次元ポテンシャルを得るために、680の異なる空間配置に対して計算を行っている。また、これらのポテンシャル間の非断熱的電子遷移の確率を、Landau-Zener-Stuckelberg近似により見積った。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Chemical Physics
巻	:	103
号	:	6
ページ数	:	p.2109 - 2112
発行年月	:	1995/08
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キーワード	:	H $_{3+}$ ; Ab Initio Potential Energy Surface; Nonadiabatic Electronic Transition

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論文URL	:	https://doi.org/10.1063/1.469686
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InCites™	:	パーセンタイル：87.02 分野：Chemistry, Physical
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登録番号 : A19950076
抄録集掲載番号 : 230914
論文投稿番号 : 13451

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Ab initio potential energy surfaces for the two lowest A′ states of H

非経験的分子軌道法による基底および第1電子励起(A′)状態におけるHのポテンシャル面の計算

Ab initio potential energy surfaces for the two lowest $^{1}$ A′ states of H $_{3+}$

非経験的分子軌道法による基底および第1電子励起( $^{1}$ A′)状態におけるH $_{3+}$ のポテンシャル面の計算