イオンビーム利用の基礎と現状,V.1.4; 局所照射分析

Fundamentals and present aspects of iom beam technology,V.1.4; Local area irradiation analysis

イオンマイクロビームは、PIXE、RBSおよびNRAなどの物質とイオンビームの相互作用の素課程を利用した微量元素分析を試料の微小領域を行うことにより多次元的元素分布や構造の解析に用いられてきた。これに対しイオンビームのもつ物質との相互作用の特徴を生かし、局所的照射効果やビーム加工の研究に用いる局所照射分析がマイクロビームを利用して行われるようになった。例として、宇宙環境における高エネルギー重イオンの単発入射によって起こる半導体素子のシングルイベント効果や、生物細胞のイオン入射による損傷、回復、変異などの局部照射効果の研究が行われている。このような目的には、高エネルギーイオンを目的の位置に1個々々打ち込む、マイクロビームと組み合わされたシングルイオンヒットの技術が求められる。ここでは原研で行われているシングルイオンヒットシステムの開発を例にその概要を説明する。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	Radioisotopes
巻	:	44
号	:	8
ページ数	:	p.570 - 590
発行年月	:	1995/08
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	イオンマイクロビーム; 微量元素分析; 局部的照射効果; シングルイベント効果; シングルイオンヒット

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.3769/radioisotopes.44.8_570
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Access	:	- Accesses
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登録番号 : A19950115
抄録集掲載番号 : 230871
論文投稿番号 : 13429

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