A SIMS study on secondary ion formation during low-enrgy methyl ion beam deposition

低エネルギーメチルイオンによる薄膜形成中の2次イオン質量分析

not registered; Aoki, Yasushi; Nagai, Shiro

100eV以下の炭化水素イオンCH $_{3+}$ とCD $_{3+}$ を用いてSi(III)基板上に常温で薄膜形成を行い、照射中に生成される2次イオンを2次イオン質量分析法(SIMS)で観測し、薄膜形成の素過程である入射イオンビームと基板表面との相互作用の入射エネルギー依存性に関する知見を得た。実験結果から、入射エネルギー30eVを境にして2次イオン生成の過程が異なることが明らかにされた。30eV以上では物理的過程により生成されるのに対し、それ以下では化学的過程、すなわち化学反応を伴い生成される。また、形成された薄膜も30eV以下では残留ガスの影響をあまり受けずに形成されることが分かった。

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発表言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	108
号	:
ページ数	:	p.75 - 80
発行年月	:	1996/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	イオンビーム蒸着; 2次イオン質量分析; 薄膜形成; 表面化学反応

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0168-583X(95)00872-1
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広報プレスリリース	:
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登録番号 : A19950247
抄録集掲載番号 : 240347
論文投稿番号 : 13839

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