Monte Carlo calculations of the behavior of 300keV electrons from accelerators

300ekV電子のふるまいに関するモンテカルロ計算

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パソコンレベルで、入射電子の単一散乱モデルに基づく挙動を計算できるモンテカルロコードを開発した。多層構造の物質に入射した300keV電子のエネルギースペクトル、角度分布、深部吸収線量分布を計算した。一部の計算結果については、実測値と比較しよい一致を確認した。試料を静止した状態で照射した場合と移動状態で照射した場合について比較し、基材の影響等を明らかにすることができた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Radiat. Meas.
巻	:	26
号	:	2
ページ数	:	p.159 - 168
発行年月	:	1996/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	モンテカルロ計算; 低エネルギー電子; 単一散乱モデル; 吸収線量分布; 静止照射; 移動照射; 薄膜多層

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/1350-4487(95)00294-4
研究データの公開先DOI	:
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広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：39.42 分野：Nuclear Science & Technology
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登録番号 : A19950408
抄録集掲載番号 : 240781
論文投稿番号 : 14204

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