Application of high-energy X-ray photoelectron spectroscopy using synchrotron-radiation to the depth profile analysis of ion implanted layer on Si(100) surface

高エネルギーX線光電子分光法を用いたイオン注入層の深さ方向分析

Yamamoto, Hiroyuki; Baba, Yuji; Sasaki, Teikichi

高エネルギー物理学研究所放射光施設(KEK-PF)が発行する年度報告書(PF Activity Report)用の原稿である。ここでは、X線光電子分光法(XPS)における分析深さが光電子の運動エネルギーに依存することを利用し、O $_{2+}$ イオン注入したSi(100)の深さプロファイルを求めた結果について述べた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Photon Factory Activity Report
巻	:
号	:	13
ページ数	:	P. 352
発行年月	:	1995/00
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開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	X線光電子分光法; 放射光; 深さ方向分析; イオン注入; Si(100)

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登録番号 : A19960048
抄録集掲載番号 : 250534
論文投稿番号 : 14790

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