Analysis of misoriented crystal structure by ion channeling observed using ion-induced secondary electrons

イオン誘起2次電子収量へのチャネリング効果を利用した,準表面層の歪解析

工藤博*; 坂本昭彦*; 山本春也; 青木康; 楢本洋; 井上知泰*; 佐藤政孝*; 山本康博*; 梅澤憲司*; 関整爾*

Kudo, Hiroshi*; Sakamoto, Akihiko*; Yamamoto, Shunya; Aoki, Yasushi; Naramoto, Hiroshi; Inoue, Tomoyasu*; Sato, Msataka*; Yamamoto, Yasuhiro*; Umezawa, Kenji*; Seki, Seiji*

イオンチャネリング現象がはじまる表面層での、単一散乱条件下での2次電子を検出すると、準表面層の原子配列を高感度に評価可能であることを示している。2次電子は、keVオーダーの内殻に属するものを検出して原子配列の情報とした。実例を示すために、Ni及びCeO $_{2}$ 単結晶について通常のRBS法の場合と対比した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Japanese Journal of Applied Physics, Part 2
巻	:	35
号	:	11B
ページ数	:	p.L1538 - L1541
発行年月	:	1996/11
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キーワード	:	Ion Channeling; Secondary Electron; Crystal Surface; Misorientation

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登録番号 : A19960471
抄録集掲載番号 : 47000190
論文投稿番号 : 20867

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