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Annealing processes of vacancy-type defects in electron-irradiated and as-grown 6H-SiC studied by positron lifetime spectroscopy

電子線照射した6H-SiC及び育成したままの6H-SiC中の空孔型欠陥の焼鈍過程の陽電子寿命測定法による研究

河裾 厚男; 伊藤 久義; 岡田 漱平; 奥村 元*

Kawasuso, Atsuo; Ito, Hisayoshi; Okada, Sohei; Okumura, Hajime*

電子線照射によって6H-SiC中に生成する原子空孔と育成したままの6H-SiC中に含まれる原子空孔の焼鈍過程を陽電子寿命測定を用いて研究した。その結果、育成したままの6H-SiC中には、Si空孔に由来する欠陥が含まれていることが明らかになった。この成分の焼鈍温度は1400$$^{circ}$$Cであることが判明し、孤立したSi空孔のそれよりもずっと高いことからSi空孔と窒素不純物の複合体に相当すると結論された。一方、電子線照射した試料中には炭素(C)空孔、Si空孔及び複空孔が生成していることが見い出された。C空孔と複空孔は500$$^{circ}$$C迄の焼鈍により消失することが明らかになった。これは、格子間原子との再結合反応に起因すると考えられる。Si空孔は800~1200$$^{circ}$$Cの間で移動し、窒素原子と結合し、複合体を形成することが明らかになった。この欠陥は、育成したままの試料と同様の温度域で消失することが明らかになった。

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パーセンタイル:93.67

分野:Physics, Applied

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