EB dosimetry using a multilayer dosimeter

300keV電子線の多層吸収体中の深部線量分布

松田 光司; 来島 利幸*

Matsuda, Koji; not registered

低エネルギー電子加速器から得られた電子線による被照射体内吸収エネルギーは、ビーム取出窓、空気層による散乱、吸収、被照射体を置く基板からの後方散乱等の影響を大きく受ける。本報告では、300keV電子線を多層吸収体、Ti+Air+CTA(セルローズトリアセテート)+Bacaking(Pb、Sn、Fe、Al)に照射した場合の深部線量分布を求め、半経験的手法による多層吸収体計算コード、EDMULTによる計算結果と比較した。CTA中の深部線量は、電子線入射面で計算を上まわり、飛程の終端部では逆の結果を示した。この傾向はBackingの原子番号が高くなる程顕著であった。300keV程度の低エネルギー電子線照射では、薄層試料の受ける吸収線量は、ビーム取出窓、空気層による散乱、吸収の影響が予想以上に大きくなることが分かった。

Depth dose distributions were obtained for a mulitilayer absorber composed of Ti, air, cellulose triacetate(CTA) and backing material of different elemtnts (Pb, Sn, Fe, and Al) when they were irradiated with 300 keV electrons. The results were compared with the calculated value using computational code for multilayer absorber(EDMULT) developed by Tabata et al. Depth dose in CTA exceeds the calculated value near the surface while the depth dose was smaller than the calculated as the depth becomes closer to the range of fncident electrons.