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3C-SiCの電子線照射効果

Electron irradiation effects on 3C-SiC

伊藤 久義; 吉川 正人; 森田 洋右; 梨山 勇*; 三沢 俊司*; 吉田 貞史*

Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito; Morita, Yosuke; Nashiyama, Isamu*; not registered; Yoshida, Sadafumi*

化学気相生長法で作製した3C-SiCのキャリア濃度及び移動度に対する1MeV電子線照射効果を調べた。この結果、キャリア濃度及び移動度は照射により減少し、各々に対する損傷係数(照射による劣化係数)として3.8$$times$$10$$^{-3}$$cm$$^{-1}$$、3.2$$times$$10$$^{-22}$$Vsなる値が得られた。これらの値とSiに対する損傷係数の比較から、3C-SiCはSiより高い耐放射線性を有することが示唆された。また、照射効果に関連して、照射により誘起される欠陥の挙動を電子スピン共鳴(ESR)法を用いて調べた。この結果、照射3C-SiCにおいて等間隔に分離した等方的な5本線とその両側に存在する1対の5本線から構成されるESRスペクトル(g値=2.0029)を見出した。このスペクトルは1個の電子スピンと$$^{13}$$C核スピン及び$$^{29}$$Si核スピンとの超微細相互作用で説明される。これより、このスペクトル起因欠陥の構造として、Si原子位置における点欠陥が考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

EIM-89-129

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.1 - 10

発行年月

 :

1989/12

発表会議名

 :

電気学会絶縁材料研究会

開催年月

 :

1989/12

開催都市

 :

高崎

開催国

 :

キーワード

 :

化学気相成長; 3C-SiC; キャリア濃度; 移動度; 電子線照射; 電子スピン共鳴; 欠陥

特許データ

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