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A Large multicusp source producing a 10A,50keV,0.1s H$$^{-}$$ ion beam

10A、50keV、0.1s H$$^{-}$$イオンビーム生成用大型マルチカスプソース

小島 啓明; 花田 磨砂也; 井上 多加志; 松田 恭博*; 小原 祥裕; 奥村 義和; 大原 比呂志; 関 昌弘; 渡邊 和弘

Kojima, Hiroaki; Hanada, Masaya; Inoue, Takashi; not registered; Ohara, Yoshihiro; Okumura, Yoshikazu; Ohara, Hiroshi; Seki, Masahiro; Watanabe, Kazuhiro

負イオンビームを用いた粒子入射加熱装置の実現に向け、体積生成型負イオン源の大電流化を目指している。現在までに、マルチアンペア負イオン源にセシウムを添加することで負イオン電流が増大することが確認され、10A、50keV、0.1sのH$$^{-}$$イオンビームが得られている。この負イオン源は、断面が24cm$$times$$48cm、深さ15cmの多極磁場型プラズマ源と、15cm$$times$$40cmの領域に直径9mmの孔が434個開けられた加速部より構成される。セシウムは、100mg程度導入すると一週間程度効果が持続し、負イオン生成効率が4倍以上になる他、最適動作ガス圧力を下げることができる。負イオンビーム中の不純物量の評価を行なった結果、OH$$^{-}$$、O$$^{-}$$が1%以下と、セシウムを用いない場合と変わらないことが分かった。また、金属不純物も検出されなかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Proc. of the 13th Symp. on Ion Sources and Ion-Assisted Technology,Vol. 1

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

4 Pages

発行年月

 :

1990/06

発表会議名

 :

イオン源とイオンを基礎とした応用技術(第13回イオン工学シンポジウム)

開催年月

 :

1990/06

開催都市

 :

東京

開催国

 :

キーワード

 :

負イオン源; H$$^{-}$$; 粒子入射加熱装置; セシウム; 多極磁場型プラズマ源; イオンビーム

特許データ

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広報プレスリリース

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