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In-situ observation of damage evolution in SiC crystals during He$$^{+}$$ and H$$_{2+}$$ dual-ion beam irradiation

水素・ヘリウム同時照射によるSiC結晶のその場観察

北條 喜一; 古野 茂実; 櫛田 浩平; 大津 仁; 出井 数彦*

Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi; Kushita, Kohei; not registered; not registered

SiC結晶に水素とヘリウムを同時に又は連続的に照射し、材料の構造変化を連続的に観察した。イオン照射は、He$$^{+}$$イオン;12kV、H$$_{2+}$$イオン;15kVとし、イオンの飛程を同一になるようにした。fluxは両方のイオン種とも1$$times$$10$$^{14}$$atoms/cm$$^{2}$$・sとした。He$$^{+}$$イオンの照射量を同一にしたときのバブル成長を観察比較した結果、同時照射に比べて、連続照射の方がバブルの成長が著しいことを明らかにした。

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