Microbeam system for study of single event upset of semiconductor devices

半導体素子のシングルイベント効果の研究のためのマイクロビーム装置

Kamiya, Tomihiro; not registered; Minehara, Eisuke; Tanaka, Ryuichi; Odomari, Iwao*

原研のTIARA施設に設置された3MVタンデム加速器に重イオンによる半導体素子のシングルイベント効果の実験を目的としたマイクロビーム装置が取付けられた。同効果の半導体素子における部位依存性を調べるために、マイクロビーム形成、ビーム照準、シングルイオンヒットの3つの基本的な技術が要求される。本装置は、これらの技術を確立するために早稲田大学で行われたマイクロビーム装置とシングルイオンヒットの予備実験の成果に基づいて設計された。今回は、本装置の概要を報告する。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	64
号	:
ページ数	:	p.362 - 366
発行年月	:	1992/00
発表会議名	:	10th Int. Conf. on Ion Beam Analysis
開催年月	:	1991/07
開催都市	:	Netherlands
開催国	:
キーワード	:	TIARA; 3MVタンデム加速器; 重イオン; 半導体素子; シングルイベント効果; マイクロビーム装置; マイクロビーム形成; ビーム照準; シングルイオンビット

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0168-583X(92)95495-D
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：91.05 分野：Instruments & Instrumentation
Altmetrics	:

登録番号 : B19910325
抄録集掲載番号 : 200456
論文投稿番号 : 11004

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