Defects in CVD-grown 3C-SiC irradiated with 2MeV protons

2MeV陽子線照射CVD成長3C-SiC中の欠陥

Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu*; not registered; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*

化学気相成長(CVD)法により作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶に2MeVの陽子線を照射し、生成する欠陥を電子スピン共鳴(ESR)法を用いて調べた。その結果、照射p形(Alドープ)3C-SiCにおいて、100K以下の低温で新たなESRシグナルを見い出した。このシグナル(以後T5と記述する)のgテンソル主値として、100方向を主軸とした3種類の値g $_{1}$ =2.00200.0001,g $_{2}$ =2.00070.0001,g $_{3}$ =1.99510.0001が得られた。これはT5欠陥がD $_{2}$ 対称構造であることを示している。さらに、T5シグナルに対し観測された超微細構造から、T5はCサイトの点欠陥に起因すると考えられる。また、照射試料の等時アニールから、T5欠陥は150 $^{circ}$ C程度の加熱により消失することが解った。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Radiation-Induced &/or Process-Related Electrically Active Defects in Semiconductor-Insulator System
巻	:
号	:
ページ数	:	p.73 - 78
発行年月	:	1991/00
発表会議名	:	3rd Workshop on Radiation-Induced and/or Process-Related Electrically Active Defects in Semiconductor-Insulater Systems
開催年月	:	1991/09
開催都市	:	America
開催国	:
キーワード	:	シリコンカーバイド; 陽子線照射; 電子スピン共鳴; 照射欠陥

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登録番号 : B19910590
抄録集掲載番号 : 190765
論文投稿番号 : 10605

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