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Defect formation in ion-irradiated Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ and MgAl$$_{2}$$O$$_{4}$$; Effects of grain boundaries and fusion transmutation products

イオン照射によるAl$$_{2}$$O$$_{3}$$及びMgAl$$_{2}$$O$$_{4}$$中の欠陥形成; 粒界効果及び核融合変異生成物効果

山田 礼司; S.J.Zinkle*; G.P.Pells*

not registered; S.J.Zinkle*; G.P.Pells*

多結晶MgAl$$_{2}$$O$$_{4}$$とAl$$_{2}$$O$$_{3}$$にイオン照射を行い、キャビティーと転位ループ形成におよぼすはじき出し損傷効果と核融合変異生成物効果を調べた。Al$$_{2}$$O$$_{3}$$の場合、Ar$$^{+}$$イオン照射のみ、H、He、Cイオン予注入後Ar$$^{+}$$イオン照射の両方のケースでキャビティーが生成した。また、高温高照射量のときに粒界近傍に大きなキャビティーが優先的に形成すること、粒の結晶方向にも依存することがわかった。一方、MgAl$$_{2}$$O$$_{4}$$の場合、高温または高照射のときにH、He、Cイオンを予注入した試料のみにキャビティーが生成されたこと、照射欠陥の無い領域が粒界近傍にあり、ある条件下でその領域が増加することが見い出された。

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