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Retention of deuterium implanted into B$$_{4}$$C-overlaid isotropic graphites and hot-pressed B$$_{4}$$C

B$$_{4}$$C被覆等方性黒鉛及びホットプレスB$$_{4}$$Cへ打込まれた重水素のリテンション

神保 龍太郎*; 西堂 雅博; 荻原 徳男; 安東 俊郎; 森田 健治*; 武藤 嘉男*

not registered; Saido, Masahiro; Ogiwara, Norio; Ando, Toshiro; not registered; not registered

CVD法及びコンバージョン法で作った、B$$_{4}$$C被覆等方性黒鉛とホットプレス法で作ったB$$_{4}$$Cとの試料を用いて重水素のリテンション特性を測定した。重水素の打込みは加速電圧3kV、粒子密度3.6$$times$$10$$^{14}$$D/cm$$^{2}$$・sのD$$_{2+}$$イオンを室温で打込み、そのリテンション量を反跳粒子検出法で測定した。リテンション量の温度依存性は、室温照射した試料を等時焼鈍することにより求めた。打込まれた重水素のリテンション量は、打込み量が10$$^{18}$$D/cm$$^{2}$$を超えると飽和する。リテンション量の飽和値は、試料により異なるが、焼鈍による減少傾向は類似している。未飽和の場合には、リテンション量が減少する温度は高温側にシフトする。以上の結果については、等方性黒鉛及び他の低原子番号材料の場合と比較すると共に、トカマクにおける水素同位体リサイクリングの観点から考察した。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Nuclear Materials

巻

 :

196-198

号

 :

ページ数

 :

p.958 - 962

発行年月

 :

1992/00

発表会議名

 :

10th Int. Conf. on Plasma Surface Interactions in Controlled Fusion Device

開催年月

 :

1992/03

開催都市

 :

America

開催国

 :

キーワード

 :

Retention; B$$_{4}$$C-overlaid Isotropic; Graphite; Hot-pressed B$$_{4}$$C; CVD B$$_{4}$$C; Conversion B$$_{4}$$C; Implantation; Thermal Release; Isochronal Annealing

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/S0022-3115(06)80175-3

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：87.79

分野：Materials Science, Multidisciplinary

Altmetrics

 :

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