M.Koh*; 杉森 正章*; 村山 純一*; 則武 克誌*; 松川 貴*; 原 謙一*; 滝口 吉郎*; 神谷 富裕; 宇都宮 伸宏*; 峰原 英介; 清水 博明*; 田中 隆一; 大泊 巌*
M.Koh*; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; Kamiya, Tomihiro; not registered; Minehara, Eisuke; not registered; Tanaka, Ryuichi; Odomari, Iwao*
半導体素子の任意の位置におけるイオン照射効果を評価するためのマイクロプローブが早稲田大学タンデム加速器のビームライン上に設置された。本装置には、イオンビームによる照射位置の照準を容易にするための走査型電子顕微鏡の小型の鏡筒がターゲットチャンバーに組込まれている。現在までに3MeVのヘリウムイオンビームによって1.9
1.7
m
のビームスポットが確認されている。今回は本装置の概要と、本装置を用いて行った。ビーム径計測実験及び、ビーム照準のテスト実験について述べる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.105 - 111 |
発行年月 |
: | 1992/00 |
発表会議名 |
: | International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application |
開催年月 |
: | 1992/02 |
開催都市 |
: | Tokasaki |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | 半導体素子; イオン照射効果; マイクロプローブ; タンデム加速器; 走査型電子顕微鏡; 3MeVヘリウム; ビームスポット; ビーム照準 |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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Altmetrics |
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