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MgO及びAl$$_{2}$$O$$_{3}$$にイオン注入されたCrの荷電状態

Charge states of Cr implanted in MgO and Al$$_{2}$$O$$_{3}$$

二神 常爾*; 永井 士郎

not registered; Nagai, Shiro

イオン注入された元素のターゲット内でのトラッピング・サイトを調べるために、MgO及び$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$の単結晶にCrイオンを注入して、その荷電状態をXPSにより調べた。その結果、Crは0価または3価として安定に存在することが分った。Cr$$^{3+}$$とCr$$^{0}$$の割合はCrの全濃度によって決められる。Crの全濃度とともにCr$$^{3+}$$の割合は減少しCr$$^{0}$$の割合は増大する。また、Al$$_{2}$$O$$_{3}$$中ではCr$$^{3+}$$の濃度とともにAl$$^{0}$$の濃度が増大した。これは注入したCrとAlの間で荷電の置換が起きていることを意味する。Cr$$^{3+}$$はAl格子位置を占めていると考えられる。一方で、MgO中のCr$$^{3+}$$の濃度はAl$$_{2}$$O$$_{3}$$中の濃度よりも大きい。MgO中のCr$$^{3+}$$は格子欠陥を伴って存在すると考えられる。光吸収スペクトルの測定からMgO中でF(F$$^{+}$$)中心、V$$^{-}$$中心、F$$_{2}$$中心が形成されていることが示された。これらの欠陥がCr$$^{3+}$$と結合しているか否かは、現在のところ定かではない。

no abstracts in English

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