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Effects of gamma-ray irradiation and thermal annealing on characteristics of 3C-SiC MOS structure

立方晶シリコンカーバイドMOS構造のガンマ線照射効果とその熱アニール効果

吉川 正人; 森田 洋右; 伊藤 久義; 梨山 勇; 奥村 元*; 三沢 俊二*; 吉田 貞史*

Yoshikawa, Masahito; Morita, Yosuke; Ito, Hisayoshi; Nashiyama, Isamu; Okumura, Hajime*; not registered; Yoshida, Sadafumi*

立方晶(3C-SiC)シリコンカーバイド結晶を1100$$^{circ}$$C、1h水素燃焼酸化した後試料を急冷して酸化層を作製し、MOS構造を形成した。この手法により界面準位及び固定電荷量は5.4$$times$$10$$^{11}$$~1.4$$times$$10$$^{12}$$cm$$^{-2}$$及び8.4$$times$$10$$^{11}$$~1.1$$times$$10$$^{12}$$cm$$^{-2}$$の範囲で発生した。界面準位はEc-0.7~Ec-1.5eVのエネルギー位置にのみ局在する。この試料を800kGy(SiO$$_{2}$$)まで照射後、100$$^{circ}$$Cから50$$^{circ}$$Cステップで30分間等時アニールを行なうと、固定電荷及び界面準位は熱アニールされ減少した。この減少量を1/T(絶対温度の逆数)に対しプロットするとよい直線性を示した。一方、未照射試料の熱アニールを460$$^{circ}$$C、30分行った後、$$gamma$$線照射を行なうと、界面準位及び固定電荷の発生量が抑制され、試料の耐放射線性が向上した。これらの変化は、300~450$$^{circ}$$Cの範囲の熱アニールプロセスが、炭化ケイ素/SiO$$_{2}$$膜界面に変化を及ぼすことを示している。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 281

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.797 - 802

発行年月

 :

1993/00

発表会議名

 :

Material Research Society

開催年月

 :

1992/12

開催都市

 :

America

開催国

 :

キーワード

 :

立方晶シリコンカーバイド; 炭化ケイ素; MOS構造; $$gamma$$線照射; 界面準位; 固定電荷

特許データ

 :

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広報プレスリリース

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