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Ion irradiation effects of EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$

EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$のイオン照射効果

数又 幸生; 岡安 悟  ; 道上 修*

not registered; Okayasu, Satoru; not registered

EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$薄膜に230MeV Au$$^{14+}$$及び1MeV He$$^{+}$$イオンを照射し、照射による超電導特性の変化を調べた。Au$$^{14+}$$イオン照射では円柱状欠陥が、He$$^{+}$$イオン照射では点欠陥が生成していると考えられる。それぞれの欠陥について、臨界温度、帯磁率、臨界電流密度、磁束の活性化エネルギー及び不可逆曲線の変化を調べた。いずれの照射においても、臨界電流密度と活性化エネルギーの減少が観測された。また、不可逆曲線は点欠陥によっても変化することを示した。以上の結果から実験に使用した薄膜は照射前既に最高の臨界電流密度を持っていることがわかっ

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