梨山 勇; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 湯藤 秀典*; 西島 俊二*; 関口 弘喜*
Nashiyama, Isamu; Hirao, Toshio; Kamiya, Tomihiro; not registered; Nishijima, Toshiji*; not registered
重イオンマイクロビームを用いて、半導体素子のシングルイベント効果に関する基礎研究を行った。シリコンPN接合に6MeVHe
,15MeVC,O,Si,Feイオンを照射し、接合に誘起される極めて速い過渡電流の波形を測定することができた。これから、接合における収集電荷量を評価し、理論値と比較した結果、明瞭なファネリング効果が生じていることが判明した。また、発生過渡電流のピーク巾は高LETイオンほど増大し、電子-正孔対の拡散による寄与も無視できない事がわかった。この実験で得られたデータを詳細なシミュレーションモデルを用いた計算結果と比較し、モデルの妥当性を検討した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 40 |
号 |
: | 6 |
ページ数 |
: | p.1935 - 1940 |
発行年月 |
: | 1993/12 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 1993/07 |
開催都市 |
: | America |
開催国 |
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キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：97.93 分野：Engineering, Electrical & Electronic |
Altmetrics |
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