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Microstructural evolution in ion- and/or electron-irradiated single crystal Al$$_{2}$$O$$_{3}$$

イオンおよび電子線照射によるアルミナ単結晶の微細組織の変化

片野 吉男; S.J.Zinkle*; 仲田 清智*; 菱沼 章道; 大野 英雄

Katano, Yoshio; S.J.Zinkle*; not registered; Hishinuma, Akimichi; Ono, Hideo

$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$の照射による組織安定性を調べる目的から、高純度Al$$_{2}$$O$$_{3}$$及び1.5wt%Cr$$_{2}$$O$$_{3}$$添加Al$$_{2}$$O$$_{3}$$単結晶にO$$^{+}$$(330keV)、He$$^{+}$$(400keV)イオン並びに電子線(120keV)照射し、損傷組織の変化を電子顕微鏡観察により調べた。何れの試料もO$$^{+}$$イオンを1123Kで0.5dpaまで照射すると、照射欠陥集合体の転位やキャビティが生成するほか、再結晶粒が形成されY-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$相であることを明らかにした。一方、純Al$$_{2}$$O$$_{3}$$のHe$$^{+}$$イオン照射(1223K,0.7dpa)では、再結晶は認められなかった。この結果、再結晶粒の生成には照射粒子が関与する事を示した。O$$^{+}$$イオン照射による深さ方向の損傷分布では、損傷が0.8$$mu$$mの深さまで及び、損傷境界近傍に亀裂や亀裂の発生に伴う転位線が認められた。損傷分布の計算(TRIM85)結果よりも約2倍大きいことが明らかになった。これは損傷ピーク付近での照射欠陥の堆積により母相との間の歪が増大し、局部的な内部応力のエネルギー解放過程で亀裂が発生し、損傷領域を拡大したものと考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Nuclear Materials

巻

 :

212-215

号

 :

ページ数

 :

p.1039 - 1045

発行年月

 :

1994/00

発表会議名

 :

6th Int. Conf. on Fusion Reactor Materials; ICFRM-6

開催年月

 :

1993/09

開催都市

 :

Italy

開催国

 :

キーワード

 :

セラミックス; 絶縁材; イオン照射; アルミナ; 照射損傷; 電子顕微鏡; 組織観察

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0022-3115(94)90991-1

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：63.36

分野：Materials Science, Multidisciplinary

Altmetrics

 :

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