ESR studies of defects in electron irradiated p-type 3C-SiC epilayers

電子線照射p型3C-SiCエピ結晶における欠陥のESRを用いた研究

Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; not registered; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*

シリコン(Si)上へのヘテロエピタキシャル成長時にアルミ(Al)不燃物をドープして作製したp型立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)において、1MeV電子線照射により形成される欠陥を電子スピン共鳴(ESR)法を用いて調べた。その結果、既知のT1,T5センター以外に、2種類の新たなESRセンターT6,T7を見い出した。T6(g値~2.003)及びT7(g値~2.01)-ESRシグナルは、両方共、有効スピンS=1の微細相互作用に起因し、電子スピン-電子スピン間の相互作用定数Dは111軸対称であることが解った。Dの絶対値としては、T6,T7に対し各々1.210 $^{-2}$ cm $^{-1}$ 、5.210 $^{-2}$ cm $^{-1}$ なる値が得られた。これらの値から、T6,T7センターにおける2電子スピン間の平均距離は各々6.1、3.8と見積れる。これらの結果は、T6,T7-ESRシグナルが、111軸方向に配列した空孔-格子間原子対に起因することを示唆している。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Inst. Phys. Conf. Ser.
巻	:	0
号	:	137
ページ数	:	p.255 - 258
発行年月	:	1994/00
発表会議名	:	Int. Conf. on Silcon Carbide and Related Materials, 1993
開催年月	:	1993/11
開催都市	:	America
開催国	:
キーワード	:	SiC; 電子線照射; 欠陥; ESR

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登録番号 : B19930723
抄録集掲載番号 : 220647
論文投稿番号 : 12583

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