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$$gamma$$線照射3C-SiC MOS構造の固定電荷蓄積量に及ぼす熱アニール効果

Thermal annealing effects on build-up of oxide trapped charge in $$gamma$$-ray irradiated 3C-SiC MOS structure

根本 規生*; 吉川 正人; 梨山 勇; 吉田 貞史*; 大西 一功*

Nemoto, Norio*; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Yoshida, Sadafumi*; not registered

立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)単結晶を用いてMOS構造を作製し、その$$gamma$$線照射によって蓄積する固定電荷($$Delta$$N$$_{Ot}$$)の熱アニール挙動を室温から400$$^{circ}$$Cの温度範囲で等時アニール法で調べた。その結果、400$$^{circ}$$Cでも$$Delta$$N$$_{ot}$$が完全にはアニールされないことがわかった。化学反応速度式を用いて$$Delta$$N$$_{ot}$$のアニール挙動を解析すると、1次反応により消滅する活性化エネルギー0.32eVの成分と400$$^{circ}$$Cでは消滅しない成分に分けられた。等時アニールされる$$Delta$$N$$_{ot}$$の活性化エネルギーは絶縁膜中をホッピング伝導するイオン、あるいは膜中の水素や水の拡散のそれに近い値であり、アニールのメカニズムとして水素関連の化合物の拡散が示唆された。残りのアニールされない$$Delta$$N$$_{ot}$$は3C-Sic/SiO$$_{2}$$界面の残留カーボンに関連した欠陥かもしれない。

no abstracts in English

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