窒化膜を有するMIS構造の電気特性に及ぼす熱処理効果

Thermal annealing effects on electric characteristics of MIS structures with nitride layers

斉藤 一成*; 高橋 芳浩*; 吉川 正人; 大西 一功*

not registered; Takahashi, Yoshihiro*; Yoshikawa, Masahito; Onishi, Kazunori*

不揮発性記憶素子や高密度集積回路で注目されているMONOS構造のPOA(酸化膜成長後のアニール)処理とPNA(窒化膜堆積後のアニール)処理による、電気的特性と放射線照射効果に及ぼす影響について検討した。その結果、放射線照射前のMONOS構造はMOS,MNOS構造とは異なり、POA処理により固定正電荷密度、界面準位密度は減少せず、高温PNA処理を施したMNOS構造と同様な特性を示すことがわかった。また、MONOS構造のC-V特性における遷移領域には顕著な周波数分散がみられること、放射線照射によりミッドギャップ電圧はMNOS構造とは異なり負方向にシフトすることが確認され、これらの現象は窒化膜堆積後の高温熱処理に起因することがわかった。

no abstracts in English