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De-excitation in solid SiCl$$_{4}$$ following deep-core excitation at the K-edge; Relation between ion desorption and Auger decay

固相SiCl$$_{4}$$におけるK-吸収端の深い内殻軌道電子を励起した時の脱励起過程; イオンの脱離とオージェ崩壊過程の関係

馬場 祐治  ; 吉井 賢資  ; 佐々木 貞吉

Baba, Yuji; Yoshii, Kenji; Sasaki, Teikichi

固相SiCl$$_{4}$$の1s電子を光励起した時の脱励起過程を調べ、イオンの脱離とオージェ過程の関係を明らかにした。1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$共鳴励起後のオージェ過程では、98%以上がスペクテーター型であり、パティシペーター型の寄与は2%以下であった。Cl1s励起では、Cl$$^{+}$$イオンは主としてCl1s$$rightarrow$$8a$$_{1}$$共鳴励起により脱離するのに対し、Cl1s$$rightarrow$$9t$$_{2}$$共鳴励起や、より高い励起エネルギーでは、ほとんど脱離しない。これは8a$$_{1}$$軌道の成分として反結合性Cl3P$$^{ast}$$軌道が多いため、1s軌道から励起された電子(スペクテーター電子)の存在により、Si-Cl結合が弱められたためであると結論した。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Surface Science

巻

 :

357-358

号

 :

ページ数

 :

p.302 - 306

発行年月

 :

1996/00

発表会議名

 :

9th Int. Conf. on Solid Surfaces

開催年月

 :

1995/09

開催都市

 :

横浜

開催国

 :

キーワード

 :

Tetrachlorosilane; Core Excitation; Photon-stimulated Desorption; Auger Transition; Molecular Orbital

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0039-6028(96)00133-1

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：49.93

分野：Chemistry, Physical

Altmetrics

 :

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