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Development of high energy single ion hit system conbined with heavy ion microbeam apparatus

重イオンマイクロビーム装置を用いたシングルイオンヒット技術の開発

神谷 富裕; 須田 保*; 田中 隆一

Kamiya, Tomihiro; Suda, Tamotsu*; Tanaka, Ryuichi

シングルイオンヒットシステムは、シングルイオン検出器と高速ビームスイッチとによって構成される。2組の中心穴空き型のMCPを用いた検出器では極薄い炭素膜とターゲットからの二次電子を同時に検出する。これまでにターゲットからの二次電子検出により15MeV Niイオンの検出効率は100%であることが確認された。また検出信号が発生してからマイクロスリット直後に設置した静電偏向板に印加される高電圧が立上るまでのスイッチング時間は、150nsであった。これによりそのビームスイッチに入射するビーム電流量と多重ヒットの確率との関係が求められ、計算によりフェムトアンペアー以下の領域でのイオンの入射タイミングおよび数量の正確な制御方法として本システムが有用であることが確かめられた。

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