A Slanted etching method to analyze the trapped charge distribution in the insulators of MIS structures

傾斜エッチング法を用いたMIS構造絶縁膜中のトラップ電荷分布の解析

Onishi, Kazunori*; Takahashi, Yoshihiro*; Imaki, Shunsaku*; not registered; Yoshikawa, Masahito

傾斜エッチング法はMOS構造の酸化膜をフッ酸で斜めにエッチングし、同一基板上に膜厚の異なるMOSチロパミタを多数作製し、それらのC-V特性の膜厚依存性からMOS構造酸化膜中の固定電荷の深さ方向分布の評価を行う手法である。今回我々はMOS構造酸化膜にアンモニアアニールをほどこした時の、酸化膜中の固定電荷の深さ方向の分布の変化を傾斜エッチング法を用いて調べた。その結果、アンモニアアニール時間が60分未満の時は、アンモニアアニールの作用により正の固定電荷が酸化膜/半導体界面に蓄積するが、180分以上のアニールでは、負の固定電荷の発生によって、見かけ上固定電荷が消失することがわかった。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proc. of 21st Int. Symp. for Testing and Failure Analysis (ISTFA 95)
巻	:	0
号	:
ページ数	:	p.269 - 274
発行年月	:	1995/00
発表会議名	:	21st Int. Symp. for Testing and Failure Analysis; ISTFA '95
開催年月	:	1995/11
開催都市	:	America
開催国	:
キーワード	:	傾斜エッチング; アンモニアアニール; MOS構造; MOSキャパシタ; 固定電荷; C-V特性

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : B19950690
抄録集掲載番号 : 240468
論文投稿番号 : 13958

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.