伊藤 久義; 青木 康; 大島 武; 吉川 正人; 梨山 勇; 奥村 元*; 吉田 貞史*
Ito, Hisayoshi; Aoki, Yasushi; Oshima, Takeshi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*
化学気相成長法によりSi上にエピタキシャル成長させて作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)単結晶に、室温から1200
Cの温度領域で窒素(N
)、アルミニウム(Al
)をイオン注入し、注入後3C-SiC中に残存する欠陥を電子スピン共鳴(ESR)、光励起発光(PL)、シート抵抗測定法を用いて調べた。この結果、800C以上の高温注入により、残留する常磁性欠陥(g~2.0030)が極めて低減できることが解った。また、高濃度Al注入(注入量≧10
/cm
)の場合は、Al凝集に関係すると推測される新たな常磁性欠陥(g~2.0035)が形成されることを見い出した。さらに、Nを高温注入後1660Cまでのアニールを行った結果、シート抵抗が低下し、注入N不純物が電気的に活性化することが示された。また、アニールによる常磁性欠陥(g~2.0030)の低減が観測され、この欠陥は電子捕獲中心として働くことが示唆された。その他本論文では、発光中心として働く残留欠陥等も論述する。
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発表言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | Silicon Carbide and Related Materials 1995 (Institute of Physics Conf. Series,No. 142) |
巻 |
: | 0 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.549 - 552 |
発行年月 |
: | 1996/00 |
発表会議名 |
: | 6th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 1995) |
開催年月 |
: | 1995/09 |
開催都市 |
: | Kyoto |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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