伊藤 久義; 大島 武; 青木 康; 吉川 正人; 梨山 勇; 奥村 元*; 吉田 貞史*
Ito, Hisayoshi; Oshima, Takeshi; Aoki, Yasushi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*
化学気相生長法によりSi基板上にエピタキシャル成長させて作製した立方晶炭化ケイ素(3C-SiC)単結晶に室温から1200
Cの温度範囲で窒素(N
)、アルミニウム(Al
)をイオン注入(加速エネルギー200keV)し、1660Cまでのアニールを行い、残留する欠陥と注入不純物の電気的活性化を電子スピン共鳴(ESR)、光励起発光(PL)、シート抵抗測定により調べた。1000CでNを注入した試料のアニールにより、注入後残存する常磁性欠陥(g~2.0030)量が減少し、シート抵抗が低下する結果が得られ、g~2.0030欠陥が電子捕獲中心として働くことが示唆された。またAl注入試料のESR測定より、注入量が約10
Al/cm
以上では新たな欠陥(g~2.0035)が形成されることが解った。さらに、Al及びN注入試料のPLスペクトルの比較から、g~2.0035欠陥は非発光中心として働くと推測される。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | 14th Symp. on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei Univ. |
巻 |
: | 0 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.147 - 150 |
発行年月 |
: | 1995/00 |
発表会議名 |
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開催年月 |
: | 1995/12 |
開催都市 |
: | 小金井 |
開催国 |
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キーワード |
: | 炭化ケイ素(SiC); イオン注入; 欠陥; 不純物; 電子スピン共鳴(ESR); 光励起発光(PL); シート抵抗 |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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