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Dissociative scattering of low-energy SiF$$_{3}$$$$^{+}$$ and SiF$$^{+}$$ ions (5$$sim$$200eV) on Cu(100) surface

低エネルギーSiF$$_{3}$$$$^{+}$$, SiF$$^{+}$$イオン(5$$sim$$200eV)のCu(100)表面における解離

山本 博之; 馬場 祐治  ; 佐々木 貞吉

Yamamoto, Hiroyuki; Baba, Yuji; Sasaki, Teikichi

本発表では、分子イオンの散乱に伴う解離のしきい値を求めることを目的とし、5$$sim$$200eVのSiF$$_{3}$$$$^{+}$$,SiF$$^{+}$$イオンをCu(100)表面に照射し、散乱イオンの質量を種々の照射エネルギーで測定した結果を報告する。この結果、ある一定以上のエネルギーで照射イオンのフラグメントが散乱イオンとして観測されることから、SiF$$_{3}$$$$^{+}$$,SiF$$^{+}$$の散乱に伴う解離のしきい値はそれぞれ30$$pm$$2eV、40$$pm$$2eVであることを明らかとした。さらに、本研究において用いた低エネルギーイオン照射装置試作の経緯およびその性能に関する具体的評価も含めた紹介についても併せて行う。

Dissociative scattering of molecular SiF$$_{3}$$$$^{+}$$ and SiF$$^{+}$$ ions from a Cu(100) single crystal surface has been investigated in the incident energy range from 5 eV to 200 eV. The observed data show that onset energies of dissociation for SiF$$_{3}$$$$^{+}$$ and SiF$$^{+}$$ ions are 30 eV and 40 eV, respectively. The obtained threshold energies are consistent with a impulsive collision model where the dissociation of incident ion is caused by vibrational excitation during collision.

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