Study of transient current induced by heavy-ion microbeams in Si and GaAs

シリコンおよびガリ砒素における重イオンマイクロビームにより発生した過渡電流の研究

平尾 敏雄; 梨山 勇; 神谷 富裕; 須田 保*

Hirao, Toshio; Nashiyama, Isamu; Kamiya, Tomihiro; Suda, Tamotsu*

半導体素子に高エネルギーを持ったイオンが、入射した際に生じるイオンシングルイベント現象は良く知られている。現在、我々はこれらの現象を実験的に調べるためにTIARA照射施設の重イオンマイクロビームを用いた実験を実施している。本報告では、ヘリウム6MeVと炭素、酸素およびシリコンの各15MeVのエネルギーを持ったイオンをシリコンおよびガリ砒素の試験ダイオードに照射して得られたシングルイベント過渡電流波形から求めた。各イオンに対する収集電荷量と印加電圧との関係さらにシリコンとガリ砒素での収集電荷の違いなど実験で得られた結果について報告を行う。

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