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Effective activation energy of 16MeV proton irradiated QMG-YBCO

16MeVプロトンで照射したQMG法で作製したYBCOの有効活性化エネルギー

岡安 悟; 数又 幸生*

Okayasu, Satoru; not registered

OMG法で作製した酸化物超伝導体YBCOに16MeVのプロトンを照射し、磁束のピンニング特性の改善について調べた。磁化の長時間緩和の測定から磁束の活性化エネルギーを求めたところ、U$$_{eff}$$$${propto}$$(J/Jc)$$^{-alpha}$$[1-(T/Tx)$$^{2}$$]$$^{2/3}$$・H$$^{-1/3}$$の形で表わされることがわかった。照射量に対する変化は5$$times$$10$$^{15}$$ions/cm$$^{2}$$までは活性化エネルギー及び臨界電流密度は増大し、ピン止め特性は改善されるが、1$$times$$10$$^{16}$$まで照射すると、それらの変化は小さくなる。また活性化エネルギーの温度依存関数が、Jのべきから指数関数的に変化することを見い出した。

no abstracts in English

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