Effective activation energy of 16MeV proton irradiated QMG-YBCO

16MeVプロトンで照射したQMG法で作製したYBCOの有効活性化エネルギー

OMG法で作製した酸化物超伝導体YBCOに16MeVのプロトンを照射し、磁束のピンニング特性の改善について調べた。磁化の長時間緩和の測定から磁束の活性化エネルギーを求めたところ、U $_{eff}$ (J/Jc) $^{-alpha}$ [1-(T/Tx) $^{2}$ ] $^{2/3}$ ・H $^{-1/3}$ の形で表わされることがわかった。照射量に対する変化は510 $^{15}$ ions/cm $^{2}$ までは活性化エネルギー及び臨界電流密度は増大し、ピン止め特性は改善されるが、110 $^{16}$ まで照射すると、それらの変化は小さくなる。また活性化エネルギーの温度依存関数が、Jのべきから指数関数的に変化することを見い出した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Czechoslovak Journal of Physics
巻	:	46
号	:	SUPPL.S3
ページ数	:	p.1645 - 1646
発行年月	:	1996/00
発表会議名	:	Int. Conf. on Low Temperature Physics
開催年月	:	1996/08
開催都市	:
開催国	:	Czech Republic
キーワード	:	YBCO; 磁束のピンニング; 緩和; 活性化エネルギー; 臨界電流密度

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登録番号 : B19960448
抄録集掲載番号 : 240749
論文投稿番号 : 14172

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