Epitaxial growth of zirconium dioxide films on sapphire substrates

サファイア基板上におけるジルコニア薄膜のエピタクシャル成長

Asaoka, Hidehito; Katano, Yoshio; Noda, Kenji

ZrO $_{2}$ には立方、正方、単斜晶系が存在し、1170 $^{circ}$ C付近で正方・単斜晶系のマルテンサイト変態が起こる。この急激な格子定数変化に伴い室温で単斜晶単結晶を得ることは難しい。この度、分子線エピタクシー法により清浄サファイヤーR基板上に単斜晶ZrO $_{2}$ 単結晶薄膜を成長させることに成功した。RHEEDによりストリークパターンが観測され、基板と薄膜は[1120]//[010]、[2021]//[110]の結晶方位を持つ。またAES、XRD、IRによる分析を行い相の同定を行った。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Applied Surface Science
巻	:	113-114
号	:
ページ数	:	p.198 - 201
発行年月	:	1997/00
発表会議名	:	8th Int. Conf. on Solid Films and Surfaces
開催年月	:	1996/07
開催都市	:	大阪
開催国	:
キーワード	:	ZrO $_{2}$ ; 薄膜; エピタクシャル成長; 単結晶; サファイヤ基板

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00830-6
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：53.09 分野：Chemistry, Physical
Altmetrics	:

登録番号 : B19960449
抄録集掲載番号 : 250564
論文投稿番号 : 14792

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.