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Formation and growth process of defect clusters in magnesia under ion irradiation

イオン照射によるマグネシア中の欠陥形成・成長過程

阿部 弘亨; 園田 健*; 木下 智見*; 楢本 洋

Abe, Hiroaki; not registered; Kinoshita, Chiken*; Naramoto, Hiroshi

770K~1070K程度の高温でイオン照射により転位ループが形成された。電子照射の場合と比較して、低線量で転位ループが観察され、密度は照射量と共に増加し、高線量で一定値をとる傾向を示した。また転位ループ径は、照射時間に対して1/2~2/3乗(900K以上)、$$<$$1/4乗(900K以下)に比例し、電子照射と比較して成長速度が小さいことがわかった。カスケード内部あるいはその周辺部では点欠陥が密集しているため、転位ループの核形成頻度が高くなり、そのために転位ループの成長に寄与する点欠陥密度が減少し、成長速度は低くなると考えられる。

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